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Centura® Avatar™ 蝕刻系統

傳統平面快閃記憶體技術已快接近臨界微縮的限制,因此必須轉換使用三維解決方案。這對介電蝕刻造成極大的挑戰,尤其是高深寬比 (HAR) 的線寬尺寸。此外,新興的三維 NAND 架構與替換介電層的堆疊有關,這會加強蝕刻系統的需求。若要達到高達 80:1 的線寬深寬比、高產能,以及在三維 NAND 專有的階梯式接觸點有絕佳的高度鎢選擇性,就必須能夠進行準確的整體晶圓輪廓控制。

Brad Howard 概要介紹了蝕刻三維 NAND 快閃記憶體結構上的難題,以及 Avatar 系統為此提供的突破性解決方案。

Applied Avatar 系統結合步驟式的溫度調整和控制,能確保在蝕刻順序中的每一部份皆具有正確的溫度設定點和穩定性,並搭配三頻電源和多區域氣體注入,達到有效的蝕刻深度和標竿輪廓控制。客戶可製造高效能、耐用的高產能新生代元件,並在整體晶圓上具有 97% 由下往上的臨界線寬比且無側壁彎曲。此外,高選擇性蝕刻幾乎不會造成底層接觸點材料的損耗。

這些能力是複雜的三維 NAND 階梯式接觸點應用的關鍵。為了在不侵蝕最淺接觸孔洞底部的鎢 (或未來的接觸材料) 的情況下完成單步驟多層接觸蝕刻,必須針對離子能量、晶圓溫度以及鈍化保護層提供高複雜性的控制。

對高深寬比蝕刻而言,維持足夠的光罩選擇性和完整性不但重要,亦具有高挑戰性。針對這些應用調整超高頻來源,創造較高的電漿密度,便能在不損害輪廓和選擇性之下,達到更高的光罩蝕刻率和產能。