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Centura® AdvantEdge™ Mesa™ 蝕刻系統

應用材料 Centura AdvantEdge Mesa 矽蝕刻系統將等級精密度帶至淺溝隔離層、埋入式位元線/埋入式字元線和 32 奈米以下雙重圖案化。應用材料創新突破的電感式耦合電漿 (ICP) 源可透過消除內在 ICP 圈環功能耦合特徵改善均勻度。控制中心至邊緣電漿特性可達到最大製程寬容度。

先進的反應室材料可促成「潔淨節點」的操作,不僅能減少擁有成本,並可提升產能。 此外,還可消除頭片晶圓效應,因此能確保晶圓對晶圓的可重複性 (如量產中所驗證)。

AdvantEdge Mesa 可證明晶圓極端邊緣有 <1% 蝕刻深度非均勻性、<1奈米 3σ 臨界線寬偏差的均勻度,以及可在運轉成本為其他可替代先進矽蝕刻機台一半的條件下提供目前最高的晶圓產能。

Pulsync 為擴大中性流比離子流密度的電漿控制,增加創新的同步電漿脈衝功能。使用這項技術後,客戶將體驗較少的微負載效應,可以在 3 倍奈米及以上進行圖案化和臨界矽蝕刻先進技術。Pulsync 可提供充滿活性的的低電子溫度電漿,能減少閘極蝕刻過程中紫外線輻射和電荷形成帶來的損害。

該系統先進的靜電吸盤邊緣溫度控制可為晶圓極端邊緣提供更佳溫度均勻度和溫度控制,並提高每片晶圓產生晶粒的數量。