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Centris® AdvantEdge™ Mesa™ Etch

Applied Centris AdvantEdge Mesa 是應用材料公司最先進的矽蝕刻系統,可針對成功製造 22 奈米以下的先進邏輯和記憶體晶片,提供所需的精密度、智慧能力以及高生產力。Centris 系統採用應用材料業界領先的 AdvantEdge Mesa 蝕刻反應室技術,能在每一片晶圓形成具備奈米級均勻度的電路線寬。此能力是量產晶片達到高良率的關鍵。

邁克·賴斯 (Mike Rice) 介紹專為奈米級精密度和高產能而設計的 Centris 蝕刻平台。

突破性的 Applied Centris 平台結合多達八個製程反應室,包含六個蝕刻和兩個電漿無塵室。 自動化機械臂可實現高速傳送,使系統每小時可處理多達 180 片晶圓 – 比其他競爭系統的速度快兩倍。

真空預載反應室中納有兩個電漿無塵室,可移除蝕刻後氫殘留物。此獨特的創新技術大幅增加了蝕刻製程反應室的配置數量,使產能達到傳統矽蝕刻系統的兩倍。

透過獨家「智慧」系統監控軟體和NIST可追踪參考標準,六個蝕刻反應室均能達到精密配合的效能,確保處理的每片晶圓皆有業界領先的次奈米臨界線寬均勻度(3σ)。除了無與倫比的晶圓對晶圓可重複性以外,Mesa 技術可在晶圓內的邊到邊之間形成非常平整一致的蝕刻輪廓,能精準轉移微影圖案,並大幅增加晶片產能。選配的 Pulsync 技術更增創新的同步電漿脈衝能力,能提供精細電漿控制,進而大幅降低微負載,進一步最佳化圖案和蝕刻精密度。

Centris 平台是專為協助晶片製造商支援永續製造計劃所設計,其水源和能量消耗量遠低於其他主機,每年的煤電量和用水量可節省相當於 600,000 磅的二氧化碳排放量*,且擁有成本比其他現行系統低 30%。

Centris AdvantEdge Mesa 系統主要用於蝕刻臨界淺溝隔離層、埋入式位線和字線以及雙重圖案化晶片結構。該系統具備業界最佳效能,可將蝕刻深度的不均勻性控制在 1%,並實現次奈米臨界線寬均勻度,進而幫助客戶縮小電路線寬、控制漏電流,以及達到高生產產能,打造明日的高複雜性晶片設計。

* Calculated using SEMI S23 methodology
** Copyright ⓒ 2009 IEEE. This material is posted here with permission of the IEEE. Such permission of the IEEE does not in any way imply IEEE endorsement of any of Applied Materials' products or services. Internal or personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution must be obtained from the IEEE by writing to pubs-permissions@ieee.org. By choosing to view this document, you agree to all provisions of the copyright laws protecting it.
*** Copyright (2009) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. This article appeared in The Journal of Applied Physics 106, 1-3305, 2009 and may also be found at http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v106/i10/p103305_s1
**** Posted with permission from ECS Transactions, 27 (1) 717-723 (2010). Copyright 2010, The Electrochemical Society