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Centris™ AdvantEdge™ Mesa™ 蝕刻系統

Applied Centris AdvantEdge Mesa 是應用材料公司最先進的矽蝕刻系統,可針對成功製造 22 奈米以下的先進邏輯和記憶體晶片,提供所需的精密度、智慧能力以及高生產力。Centris 系統採用應用材料業界領先的 AdvantEdge Mesa 蝕刻反應室技術,能在每一片晶圓形成具備奈米級均勻度的電路線寬。此能力是量產晶片達到高良率的關鍵。

邁克·賴斯 (Mike Rice) 介紹專為奈米級精密度和高產能而設計的 Centris 蝕刻平台。

突破性的 Applied Centris 平台結合多達八個製程反應室,包含六個蝕刻和兩個電漿無塵室。 自動化機械臂可實現高速傳送,使系統每小時可處理多達 180 片晶圓 – 比其他競爭系統的速度快兩倍。

真空預載反應室中納有兩個電漿無塵室,可移除蝕刻後氫殘留物。此獨特的創新技術大幅增加了蝕刻製程反應室的配置數量,使產能達到傳統矽蝕刻系統的兩倍。

透過獨家「智慧」系統監控軟體和NIST可追踪參考標準,六個蝕刻反應室均能達到精密配合的效能,確保處理的每片晶圓皆有業界領先的次奈米臨界線寬均勻度(3σ)。除了無與倫比的晶圓對晶圓可重複性以外,Mesa 技術可在晶圓內的邊到邊之間形成非常平整一致的蝕刻輪廓,能精準轉移微影圖案,並大幅增加晶片產能。選配的 Pulsync 技術更增創新的同步電漿脈衝能力,能提供精細電漿控制,進而大幅降低微負載,進一步最佳化圖案和蝕刻精密度。

Centris 平台是專為協助晶片製造商支援永續製造計劃所設計,其水源和能量消耗量遠低於其他主機,每年的煤電量和用水量可節省相當於 600,000 磅的二氧化碳排放量*,且擁有成本比其他現行系統低 30%。

Centris AdvantEdge Mesa 系統主要用於蝕刻臨界淺溝隔離層、埋入式位線和字線以及雙重圖案化晶片結構。該系統具備業界最佳效能,可將蝕刻深度的不均勻性控制在 1%,並實現次奈米臨界線寬均勻度,進而幫助客戶縮小電路線寬、控制漏電流,以及達到高生產產能,打造明日的高複雜性晶片設計。