應用材料公司推出創新技術 以建立更快速的DRAM晶片

• 提升 DRAM 速度以符合微處理器效能是20奈米世代的主要挑戰
• 全新的電晶體製造技術有助於克服「記憶體撞牆」，加速資料存取

應用材料公司 (Applied Materials, Inc.)近日推出三種新系統，能大幅提升次世代 DRAM 晶片效能。這些創新系統可克服製造電晶體及記憶體晶片接點區的主要挑戰，包括： Applied Centura® DPN HD™ 系統可提升閘極絕緣層縮小化；Applied Endura® HAR Cobalt PVD 系統可提供高縱橫比接點結構；以及 Applied Endura® Versa™ XLR PVD 系統可降低閘極堆疊電阻。

應用材料公司執行副總裁暨半導體系統事業群總經理藍迪爾–塔克(Randhir Thakur)博士表示：「全新的DRAM製造技術，能協助晶片廠對當今行動運算裝置的高效能、低耗電的展現大放異彩。這些系統運用了應用材料公司領先業界的閘極電漿氮化及物理氣相沉積金屬化技術，協助我們的客戶推動更快速、更低功耗的記憶體效能。」

雖然近年來微處理器的速度大幅提升，但 DRAM 晶片並未跟上腳步，結果造成關鍵性的效能出現落差。為克服這道「記憶體撞牆」(memory wall)，就必須提升在記憶體單元陣列與外部資料匯流排之間傳送資料的控制電路系統速度。DRAM晶片廠採用來自進階邏輯裝置的關鍵電晶體技術，藉由提高電晶體密度以騰出空間來容納更快速、更精密的控制電路系統，以因應上述挑戰。

應用材料公司前端與金屬沈積部總經理史提夫–甘納言(Steve Ghanayem)表示：「我們無與倫比的各項電晶體與接觸技術產品能為客戶提供多層面的方式，解決DRAM製程中主要挑戰。」

Applied Centura DPN HD系統的設計可將氮原子結合至閘極絕緣層以改進電性，藉此大幅提升電晶體效能。應用材料公司先進的解耦電漿氮化 (DPN) 技術運用全新的高純度(HD)技術，廣泛用於製造先進邏輯與記憶體裝置，以協助晶片廠縮小電晶體體積，同時維持最適化的電晶體效能。

以低電阻率的鈷取代傳統的鈦進行電晶體接點金屬化，全新的 Applied Endura Cobalt PVD 系統提供已量產驗證的方法，大幅提升切換速度及更低的耗電量。這套系統充分發揮應用材料公司在鈷物理氣相沈積領域的十年豐富經驗，將均勻的薄膜沈積於高縱橫比的接點結構上，接點電阻比鈦低50%。

Applied Endura Versa XLR PVD 系統延伸應用材料公司被業界引為標準的鎢物理氣相沈積技術，最高可降低20%的閘極堆疊電阻率，使切換速度獲得顯著提升，這對於閘極縮小化極為重要。此外，新系統的最適化反應器設計可大幅提升關鍵消耗性元件的使用壽命，降低每片晶圓成本10%。

如欲了解應用材料公司有關先進DRAM製造新技術的詳細技術資訊，請前往 www.becauseinnovationmatters.com。

應用材料公司是全球前五百大公司之一，專事製造先進的半導體、平面顯示、太陽光電的各項創新性設備、服務及軟體產品。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益，更方便使用。應用材料公司運用今日的創新，成就企業明日的商業應用。查詢應用材料相關訊息，請至 http://www.appliedmaterials.com。  ###