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新生代 NAND

應用材料公司的革命性製造技術可支援客戶進行二維轉換到使用新生代 NAND 快閃記憶體的三維單元陣列。

因為繼續縮小傳統快閃記憶體單元已愈來愈不可行,許多領先的製造商正著手開發名為「三維堆疊式 NAND」的技術。多重二維記憶體陣列是以層層相疊方式來製造,因此能增加晶片容量而不需要減少每個單元的大小。應用材料公司的創新系統幫助快閃記憶體製造商實現這項令人興奮的新技術。

記憶體製造商正在開發建立多達 16 層的三維單元陣列方法。雖然比傳統的平面配置提供更大的記憶體密度,但這種設計最後會需要製造出非常高的結構,因而形成新的製造挑戰。

應用材料已公司已開發出突破性的製造技術,幫助其記憶體客戶在量產製造時採用這些非凡的結構。應用材料公司先進的蝕刻系統可穿透多層不同材質形成垂直小孔。此項技術是構成電路位址線的關鍵,可將記憶體單元連接到外部控制電路。若要以電力方式隔離每個單元,應用材料公司的突破性流動性氧化技術可以輕易地填充這些 30:1 深寬比線寬。