新一代DRAM

常规的DRAM设计围绕每一存储电容的是其控制电路及地址线。为了在每一芯片上置入更多位, 先进的存储器制造商转而将地址线埋在硅晶圆内的电容下面。应用材料公司应对这个新设计的挑战，提供一系列完整的制造系统，帮助实现这一新的制造方法。