前沿存储芯片设计

在人类遵循摩尔定律近40年后，用减小特征尺寸（称之为“按比缩小”）的方法增加传统二维存储芯片的容量变得非常困难。例如，先进的25nm闪存芯片存储每一个信息位用大约100个电子。在成百上千万次读/写周期内可靠地包容这些电子是一个重大挑战 —— 也是一个重大成就。

进一步提高存储密度而又不需要缩小数位的尺寸，在DRAM和NAND闪存芯片领域，制造商正转向新颖的、多堆叠结构。应用材料公司开发的系统能使这一重大设计变为现实，使制造商能生产可靠性高、成本低的存储芯片，应用于固态硬盘和其它访存密集的移动应用领域。