AKT等离子加强化学气相沉积(PECVD)——用于低温多晶硅液晶显示器

AKT低温多晶硅等离子加强化学气相沉积(PECVD)技术用于生产高亮度、高清晰度、低功耗的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)。该技术使用多步骤(SiN/SiO2/a-Si)单反应腔沉积工艺，在最高430°C的情况下提供业界质量最高的控制氢含量的多晶硅预反应薄膜。

一个单独的“加热前/沉积后”反应腔大大降低了硅沉积薄膜层中的氢含量，同时提高了系统的产量。降低多晶硅预反应薄膜的氢含量可以使薄膜在单独系统中进行的激态粒子激光退火工艺或其它补充的激化工艺中快速地转化成多晶硅。

目前，一共有3个平台可供选择用于满足不同的衬底尺寸：AKT-1600 PX PECVD 用于不超过370mm x 470mm的衬底、AKT-4300 PX PECVD 用于不超过620mm x 750mm的衬底、AKT-5500 PX PECVD用于不超过 730mm x 920mm的衬底。