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Olympia™

持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD 对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的器件关键工艺步骤至关重要。然而,尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要,但也对 ALD 提出了新的要求,以便在下一代节点的有限热预算中提供范围越来越广的高品质、强健的薄膜。

应用材料公司的 Olympia™ ALD 系统提供新型高性能 ALD 工艺,能够单独沉积介电层和金属薄膜,解决了在下一代节点平面和 3D 器件制造所需的低沉积温度下,获取高品质 ALD 薄膜的重大挑战。