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Producer® eHARP™ CVD

应用材料公司 Producer eHARP(增强型高深宽比工艺)是一种新型非等离子CVD 氧化膜,可满足 4xnm 及以下节点的 STI(浅沟槽隔离层)间隙填充要求。

在沉积过程中,eHARP 薄膜通过将水蒸气引向 TEOS/臭氧化学区来增强第一代 HARP 薄膜的间隙填充能力。这可以生成更紧凑、更密实的薄膜,可对深宽比 >12:1 的特征进行无缝、无孔洞间隙填充。这可以生成更紧凑、更密实的薄膜,可对深宽比 >12:1 的特征进行无缝、无孔洞间隙填充。eHARP 在 32nm 逻辑间隙填充和 4xnm 器件应用中经过验证,可满足具有复杂 3D 岛特征的垂直形貌及设计的填充要求。对于 4xnm 闪存,eHARP 是符合 STI 填充标准的首个 CVD 解决方案。

eHARP 的 TEOS/臭氧工艺还能够沉积应变诱导薄膜,大幅提高逻辑器件的晶体管驱动电流和存储器件中的保持时间,从而提升晶体管性能,且最大程度降低集成复杂度和成本。应用材料公司的 eHARP 薄膜工艺采用经过生产验证的高产能 Producer 平台,三个 Twin® 腔室最多可同时处理六片晶圆。