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Endura® HAR Cobalt PVD

在先进器件中,DRAM 结构的数据传输速度成为了制约系统性能的一个因素。为加速该数据传输,需要更快的外围栅极接触体。Endura HAR Cobalt PVD 系统可降低外围接触体中的电压,以便在更低的电压下产生更高的驱动电流。

该系统将Siconi硅化物前处理与PVD钴和TiN帽沉积集成在DRAM外围的直接接触应用中。硅化钴能够最大限度地降低高深宽比外围接触体的电阻,从而能够在更低的电压下产生更高的驱动电流,该技术优于 CVD 硅化钛技术