skip to main content

Endura® Extensa™ TTN

应用材料公司的 Endura Extensa TTN 为客户向可提升器件性能的铜互连过渡提供了集成灵活性。其稳健的沉积技术为 5xnm 及以下节点的闪存和 DRAM 设备中的阻挡层沉积提供了值得量产的工艺。

通过在业内领先的 Endura 平台上集成,该系统的沉积工艺满足了可扩展铜阻挡层和铜铝或铜钨扩散阻挡层的需求。 Extensa TTN 提供了广泛的 PVD 制造能力,无需更改硬件即可在相同的腔体内实现钛、金属氮化钛 (TiN) 和完全氮化的 TiN 沉积,它还适用于 Cs 衬垫和接合焊盘应用。

系统均匀的阶梯覆盖率和薄层电阻(不均匀度 <3% 1σ)便于沉积更薄的阻挡叠层,以便减轻悬突和实现无孔洞的间隙填充。腔体配备了接地的单片式 CleanCoat™ 铝套件,可实现业界最佳的缺陷水平 (<10 @ 0.12μm) 和操作,而其耗材成本比其他可用的阻挡层沉积系统更低。更薄的薄膜和更少的粘合也可以降低每个晶圆的拥有成本。

Extensa TTN 采用了通量成型、高度电离化、双磁场源,可实现中心边缘底部和侧壁不对称度 (~1:1) 较低的良好阶梯覆盖(0.10μm 4:1 深宽比时大于 40%)。侧向电磁铁便于灵活地进行工艺调优,以便适应不同类型的特征尺寸,并补偿特征尺寸中与刻蚀有关的偏差。