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Endura® Amber™ PVD

可靠及完整地用铜填充互连沟槽和通孔结构,对于微电子制造的器件可靠性非常重要。该工艺的必要步骤为沉积阻挡层(防止铜扩散至周围绝缘材料)和铜种子层[方便随后的电化学沉积(或电镀)],使其不会出现孔洞和缝隙。

Sundar Ramamurthy 解释了革命性的 Amber PVD 铜回流如何解决 20nm 以下互连微缩的挑战。

迄今为止,电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是,当节点小于 2xnm 时,即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺,覆盖完好无任何凸悬,也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。

独特的 Endura Amber PVD 系统通过成熟的集成化方法,将冷沉积工艺与高温热铜回流工艺相结合,取代了 EnCoRe II RFX 铜晶种技术,一举解决了这一难题。在 1xnm 技术节点下,超小通孔开口周围会出现铜凸悬,使得无法采用常规的 PVD 工艺达到最佳电镀所需的侧壁和种子层覆盖。新系统扩展了当前技术的应用,通过铜回流,增强了 PVD 沉积工艺,实现自底向上的填充。这个两步骤工艺通过减少通孔的有效深宽比(应用一次)或完全填充通孔(重复应用),简化了电镀过程,使无孔洞填充更有保障,从而确保器件的可靠性。沉积/回流工艺中的每一步都能独立控制温度,可灵活地与各种衬垫材料结合使用。

这一创新的铜晶种技术与预清洁和 EnCoRe II Ta(N) 阻挡层技术在高度真空条件下整合至 Endura 平台,在量产中可达到高的器件良率。