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AKT®-PiVot™ DT PVD

AKT-PiVot 55K DT PVD和25K DT PVD设备能在2200毫米x 2500毫米和1500毫米x 1850毫米玻璃基板上沉积薄膜晶体管的关键膜层和金属相连,支持各种大尺寸电视机或移动设备节能型面板的生产制造。AKT-PiVot卓越的均匀性、微粒控制能力及稳定的性能,可助力显示面板制造企业生产用于超高清(UHD)显示面板的更快更小的晶体管。

专有的旋转阴极技术使靶材利用比平面靶高3倍。PiVot设备的每个镀膜单元都有一组材料更多量的旋转靶材,其使用寿命比传统的平面靶长达4倍之多。PiVot设备的镀膜单元有一个创新的溅射前单元,靶材镀膜前准备仅需使用一块基板,而其他设备需要多达50块基板才能取得同样的结果。

对于基于金属氧化物的薄膜晶体管,AKT-PiVot设备使用旋转阴极技术沉积IGZO膜层的均匀度和稳定性都绝无仅有。“非均匀效应(mura effect)”是阻碍金属氧化物技术被液晶显示面板的广泛应用的关键挑战,而AKT-PiVot设备则是唯一能够克服非均匀效应的IGZO解决方案。此外,PiVot沉积的IGZO膜层杰出的稳定性展现了将金属氧化物背板用于OLED显示面板的前景,并将大大降低成本,有助于让大尺寸OLED电视价格更加亲民。

随着薄膜晶体管越来越小而基板越来越大,均匀性和微粒对良品率的影响越来越大。这些设备配备了等离子体方向控制的自清洁旋转靶材,与传统的平面靶材相比缺陷大幅减少,均匀性非常优异。为提供高性价比的产出,该设备在一个平台上相互独立的双传送轨道实现了在较小空间内提供高产能。沉积出的稳定均一的氧化铟镓锌(IGZO)膜层与均匀低缺陷的金属、像素电极和新的集成钝化层(氧化铝)相结合,带来前所未有的技术性能及灵活性。

利用PiVot设备,平面显示面板制造商可以从铝线互连总线过渡到铜线互连总线,在下一代LCD-TV面板和移动设备面板中实现更快的像素切换和更低的能耗。PiVot设备成就卓越膜层品质的关键在于其专有的旋转阴极设计,这种设计运用独特的镀膜调整技术沉积铜层,使晶粒分布均匀,电阻率低且厚度均匀性高。PiVot设备还可达到超过80%的靶材利用率,可显著节约昂贵的靶材材料。