アプライド マテリアルズ　EUVリソグラフィーの障壁を取り払う新しいフォトマスクエッチング装置を発表

報道資料
2011年9月22日
（日本時間）

アプライド マテリアルズ　EUVリソグラフィーの障壁を取り払う新しいフォトマスクエッチング装置を発表

・16nm以降の製造課題に対応した新フォトマスクエッチング技術
・EUVLパターン転写におけるパターン精度と欠陥低減という2つの重要課題を解決
・大手マスクメーカー各社が複数台を設置、EUVLへの転換を促進

アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、会長兼CEOマイケル・スプリンター）は9月19日（現地時間）、最先端のフォトマスク技術を実現するエッチング装置Applied Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etchを発表しました。この装置はEUVリソグラフィー（EUVL）の導入を妨げてきた大きな技術障壁を克服し、ナノメートル精度で新しいEUVLフォトマスクエッチングに対応するほか、世界トップクラスの欠陥性能を備え、今後複数世代にわたって高性能半導体デバイスの製造に貢献する見通しです。

アプライド マテリアルズのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャー（マスク＆TSVエッチング製品部門）、アジャイ・クマールは次のように述べています。「新しいTetra EUVは、業界標準として先進的なマスクメーカーの大半に採用されている当社のエッチング装置Tetraの機能をさらに強化したものです。アプライド マテリアルズはお客様が重視するテクノロジーへの投資を継続することにより、次世代のデザインノード実現を目指しています。すでに複数台の装置を出荷しており、大手マスクメーカーのほぼ全社と緊密に協力しつつ、半導体業界がこの重要な技術転換に対応できるよう後押ししています」

従来のフォトマスクは、波長193nmの光を選択的に透過させてウェーハに回路パターンを投影するものでしたが、EUVLフォトマスクではまったく異なる手法が用いられます。EUVLで用いる波長13.5nmの光（極紫外線）は、どのフォトマスク材料に対しても透過性を持たないため、代わりに多層化されたミラーをマスクに組み込み、反射光をウェーハ上に導いて回路パターンを形成します。Tetra EUVは新材料や複雑な積層膜のエッチングを行えるよう設計されているため、この反射モードで高いリソグラフィー歩留まりを達成する際に必要とされる厳密なパターン精度、表面仕上げ、欠陥性能などの仕様を満たすことができます。

Tetra EUVは、お客様のフォトマスクおよびリソグラフィーの生産効率と歩留まりを最適化するアプライド マテリアルズの総合的なソリューションの一環をなすものです。装置の保守はアプライドグローバルサービスが担当し、業界で最も充実したサービス／サポートネットワークを通じて、マスクエッチング装置で最も重視されるアップタイムを最大化します。アプライド マテリアルズのリソグラフィー関連ソリューションの詳細については、www.appliedmaterials.com/advanced-lithoをご覧ください。

アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、先進的な半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池の製造に用いられる革新的な装置、サービスおよびソフトウェアを提供するグローバルリーダーです。アプライド マテリアルズのテクノロジーにより、スマートフォン、薄型テレビ、ソーラーパネルなどの製品が世界中の家庭やビジネスで、より手頃な価格でご利用いただけるようになります。アプライド マテリアルズは、今日のイノベーションを明日の産業へ発展させていきます。

詳しい情報はホームページ：http://www.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。

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このリリースは9月19日米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド  マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。

アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：渡辺徹）は1979年10月に設立。京都、大阪支店のほか14のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。

このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へ
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社
社長室： 大橋 百合　(Tel: 03-6812-6801)
ホームページ： http://www.appliedmaterials.com