발전된 리소그래피 확장 기술

더블 패터닝 기술은 22nm급 소자에패턴을 대량으로 가공할 수 있는 유일한 기술입니다.  단일 22nm 리소그래피 패턴을 박테리아 세포벽 두께와 비슷한 11nm짜리 폭의 두 패턴으로 나눌 수 있는 어플라이드 머티어리얼즈의 자가정렬 이중패턴 기술(self- aligned double-patterning, SADP)도 이러한 더블 패터닝 기술 중 하나입니다.<br /><br />

모든 패터닝 기술에는 업계를 선도하는 어플라이드 머티어리얼즈의 APF 탄소 하드마스크 필름과 같은 첨단 패터닝 필름이 사용됩니다.   이러한 패터닝 필름을 웨이퍼에 올려놓고 고정밀도의 식각 시스템을 이용해 회로를 형성합니다.

• Centris AdvantEdge Mesa Etch
• Centura AdvantEdge Mesa Etch
• Centura Enabler E5 Etch
• Producer APF (Advanced Patterning Film) PECVD
• Producer DARC PECVD

어플라이드 머티어리얼즈는 SEM 기반의 정밀 측정 시스템과 실시간 폐회로 컨트롤소프트웨어를 개발하여 칩 제조업체들이 복잡한 패터닝 과정을 정밀하게 검사하고 이를 기반으로 공정능력과 수율을 최적화할 수 있도록 지원하고 있습니다.<br /><br />

뿐만 아니라, 고밀도 회로 속에 숨겨져 칩의 기능을 저하시킬 수 있는 미세한 결함까지 탐색, 식별해 낼 수 있는 레이저 기반의 고감도 검사 시스템도 제공하고 있습니다. 검사는 패터닝 공정에서 수차례 이루어지기 때문에 정확성과 속도 모두 성공적인 제조에 필수적인 요인입니다.

• Aera3 Mask Inspection
• SEMVision G5 Defect Review
• UVision 4 Inspection
• UVision 5 Inspection
• VeritySEM4i Metrology

첨단 소자 제조시 웨이퍼 상에 형성되는 회로는 마스크 이미지 전사에 사용되는 빛의 파장보다 훨씬 더 가늘어지는데, 이는 반도체 제조업체가 해결해야 할 어려운 문제 중 하나입니다. 이미지의 해상력을 높이려면 마스크에 해상도 강화 기술(RETs)을 적용해야 합니다.

 패턴의 정확성이 가장 중요한 고급 마스크를 제조하기 위해 전 세계 마스크 제조업체에서는 당사의 첨단 테트라 레티클 식각(Tetra Advanced Reticle Etch) 시스템을 이용하고 있습니다.

해상도 강화 기술은 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 정확성을 높이는 반면, 패턴의 잠재적 수율 제약(yield limit) 결함을 찾아내는 데에 문제를 야기합니다. 각 마스크가 웨이퍼 상에 정확한 패턴을 형성하도록 하기 위해, 당사는 웨이퍼 상에 미치는 영향에 따라 결함을 검사하고 분류하는 공중상(aerial image) 특허 기술을 개발하였습니다.

공중상 기술은 칩 제조업체가 포토마스크에서 수차례 변경 사항을 찾아내고 수정하여 정확한 패턴을 새기는 한편, 짧은 사이클 타임을 이끌어내도록 해주는 중요한 리소그라피 셀 도구이기도 합니다.

• Aera3 Mask Inspection
• Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch
• Centura Tetra X Advanced Reticle Etch