기존의 DRAM 구조는 각 저장 커패시터(capacitor)를 제어 회로 소자와 어드레스 라인(address line)이 감싸고 있는 형태입니다.이에 따라 주요 메모리 칩 제조업체들은 각 칩에 더 많은 비트를 저장하기 위해 어드레스 라인을 실리콘 웨이퍼의 커패시터 아래에 심는 방식을 채택하고 있습니다. 이 새로운 제조 방식을 지원하기 위해 어플라이드 머티어리얼즈는이 포괄적인 제조 시스템을 갖추고 새로운 설계상의 요구에 부응하고 있습니다.
지난 세대 동안 DRAM 제조업체들은 셀이 칩에서 차지하는 면적을 줄이는 배치 방식을 개발해 왔습니다.
이러한 최신 설계 디자인을 이용해 실리콘 기판에 어드레스 선을 심고, 그 위에 트랜지스터와 커패시터를 올려 수직 적층을 만드는 방식으로 밀도를 50% 증가시킬 수 있었습니다. <br /><br />
어플라이드 머티어리얼즈가 개발한 고유 기술은 이러한 새로운 배치 방식의 메모리 대량 생산을 위해 요구되는 복잡하고 어려운 구조를 처리할 수 있는 기술입니다. 예를 들어, 어플라이드 머티어리얼즈의 센츄라 마리아나(Centura Mariana) 식각 시스템은 80:1 이상의 비율로 회로를 식각할 수 있으며, 혁신적인 프로듀서 이터나(Producer Eterna) 시스템은 어떤 구조라도 완벽하게 채우는 유동성 절연막을 증착할 수 있는 시스템으로 견고하고 신뢰성 있는 장치 생산에 기여하고 있습니다.
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