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새로운 비메모리칩 설계

트랜지스터는 칩의 핵심이자 칩 속도 향상에 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 제조업체들은 트랜지스터의 사이즈를 줄이고 실리콘의 평방 밀리미터 당 집적도를 높이기 위해 칩 설계 분야에 대한 지속적인 개선 노력을 기울여 왔습니다.

그러나 더욱 첨단화되어 가는 기술에 발맞추어 신뢰할 수 있는 성능의 트랜지스터를 만들기 위해서는 신소재와 새로운 칩설계가 요구되는 상황입니다.

어플라이드 머티어리얼즈는 고객 업체들이 신소재를 이용한 3-D 적층 방식의 새로운 트랜지스터 구조를 설계할 수 있도록 혁신적인 제조 시스템을 개발해 왔습니다.

메탈 게이트 트랜지스터 제품

트랜지스터의 핵심인 게이트는 중요한 온-오프 스위칭이 일어나는 부분으로서, 신소재 이용을 통해 더욱 빠르고 신뢰성 있는 성능 구현이 가능해 졌습니다. 어플라이드 머티어리얼즈가 제공하는 포괄적인 솔루션 포트폴리오는 칩 제조업체들의 이와 같은 첨단 기술 적용에 기여해 왔습니다.

새로 생산되는 칩이 더욱 소형화되고 집적도 높은 트랜지스터를 장착하게 되면서 주요 칩 제조업체들은 신금속과 고유전율(high-k) 절연물과 같은 다양한 소재를 사용해 칩의 스위칭 속도를 높이고 전류 누설을 제어해야 했습니다.

어플라이드 머티어리얼즈는 최적화된 성능 구현을 위해 미세 설계된 인터페이스를 바탕으로 고유전율/금속 게이트 구조 제조를 위한 종합적인 통합 시스템을 개발해 왔습니다. 고온 식각, 원자층 증착(ALD) 및 초고진공 경화 기술이 가능한 이 시스템은 다양한 메탈 게이트 통합 문제 해결에 기여하고 있습니다.

차세대 로직 제품

앞으로 다가올 기술 세대에서 반도체 제조업체들은 평면 구조가 아닌 나노전자소자(FinFET)와 같이 여러 개의 게이트가 배치된 3D 트랜지스터를 제조하게 될 것입니다. 이 새로운 논리칩은 더욱 작고 강력한 마이크로프로세서 및 로직 디바이스의생산을 가능하게 할 것입니다. 어플라이드 머티어리얼즈는 제조 분야의 새로운 도전과제 해결을 위한 시스템 개발을 위해 고객업체와 함께 함께 노력해 왔습니다.

주요 논리칩 제조업체들은 고유전율/금속 게이트 기술을 뛰어넘어 무어의 법칙을 지속적으로 적용할 수 있는 FinFET와 같은 다중 게이트 트랜지스터의 가능성을 모색하고 있습니다. 다중 게이트로 트랜지스터 채널을 감싸는 방식을 바탕으로 한 이러한 설계 방식은 스위칭 속도를 높이고 전류 누설을 막음으로써 전력 소비는 줄어드는 반면 성능은 더 향상된 논리칩 소자 생산을 가능하게 할 것입니다.

어플라이드 머티리얼즈가 제공하는 첨단 패턴 기술과 박막 증착 솔루션은 높고 좁아진 실리콘 핀(fin) 제조 및 전기적 특성에 정확하게 부합하는 다중 게이트 제조 등 다중 게이트 트랜지스터 구조로 인한 제조상의 어려움을 해결하는 데 기여하고 있습니다.