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ECD

ECD는 반도체 소자 제조에서 대량으로 구리 배선을 형성하는 빠르고 비용 효과적인 방법입니다. 이러한 배선은 전기 회로를 형성하는 인터커넥트를 만드는 데 사용됩니다. 회로가 올바로 기능하려면 전기적 신뢰성과 기능을 약화시킬 수 있는 빈틈이나 공극 없이 금속이 이 배선(비아, 트렌치)의 형상을 완전하게 충진해야 합니다.

어플라이드의 기술은 상향식 충진과 측벽 억제 사이의 까다로운 균형을 맞춰서 종횡비가 5:1을 초과하는 20nm 미만의 형상에서 완벽한 충진을 구현합니다. 소자 밀도가 커짐에 따라 동적 공정 제어를 통해 소자 수율을 높이기 위해 필요한 웨이퍼 내 균일한 증착을 구현할 수 있습니다.