다용도의 Centura 시스템은 8,000대가 넘게 전세계 고객들에게 출하되었고 고 유전율 트랜지스터 게이트 스택 제조 같은 통합 다단계 공정은 물론 ALD, CVD, 에피택시, 식각, 포토마스크 제조, PVD, 플라즈마 도핑, 플라즈마 질화, RTP를 포함해 매우 다양한 응용 분야에 사용됩니다.
CMOS 기술에는 PMOS와 NMOS의 두 가지 유형의 트랜지스터가 필요합니다. PMOS의 경우 채널을 압축해서(격자 간격을 줄여), 즉 세로 방향의 간격을 줄여 원자 결합을 더 강하게 하면 홀 모빌리티가 향상되어 좋은...
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어플라이드 Avatar 시스템은 각각의 식각 시퀀스의 정확한 온도 설정과 안정성을 보장하기 위해 단계별 온도 조절 및 제어 능력을 3중 주파수 전력 및 다중 구역 가스 주입 기능과 결합하여 우수한 윤곽 제어 능력과 함께 아주 깊은...
DPN HD 질화 공정에서, SiO2 유전체에 저에너지 펄스 플라즈마를 통해 질소를 주입하면 게이트 스택의 SiON과 Poly Si의 계면은 높은 질소 농도를, Si 기판과 SiON계면에는 낮은 질소 농도를 유지하여 채널 모빌리티를 향상시킵니다...
각 기술 노드의 원하는 소자 성능을 얻기 위해 점점 작아지는 EOT에 맞추어 게이트 스택의 두께를 줄여야 합니다. 22nm 이하로 가면서 초박막 고 유전율 필름을 만들기 위해 ALD 공정이 필요합니다. EOT를 줄이기 위해 플라즈마 질화를...
체적 대비 기능 비율을 최대화하기 위해 소자 업체들은 3D 구조를 사용해 칩을 집적화하고 있습니다.TSV 기술은 적층된 칩이나 웨이퍼를 연결하는 집적 회로의 부품의 역할을 하는 수직 통로를 만들어 3D 인터커넥트를 구현합니다.
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EUV 포토마스크는 웨이퍼에 회로패턴을 투사하기 위해 193nm 파장의 빛을 선별적으로 보내는 기존의 포토마스크와는 근본적으로 다릅니다. EUV 리소그래피가 사용하는 13.5nm 파장에서 모든 포토마스크 물질은 불투명하기 때문에 마스크에는 회로...
Applied Centura Tetra Z Photomask Etch 시스템은 10nm 이상의 로직 및 메모리 소자를 위한 광학 리소그래피 포토마스크를 식각하는 데 필요한 첨단 기능을 제공합니다. 이 새로운 시스템은 첨단 해상도 증강 기술을...
Applied Centura Ultima X HDP‑CVD 챔버의 반응기 설계와 공정 기술을 통해 STI, 전금속 유전체, ILD, IMD, 페시베이션 등의 다양한 응용 분야에 대해 무도핑 필름과 도핑 필름을 모두 증착할 수 있습니다.
낮은 저항과 최소한의 일렉트로마이그레이션을 특징으로 하는 텅스텐은 로직 및 메모리 소자에서 트랜지스터를 집적 회로의 나머지 부분과 연결하는 컨택과 중간 라인(최저 레벨) 인터커넥트를 충진하기 위한 재료로 오랫동안 사용되어 왔습니다. 이전의...
The system combines innovative ALD tungsten nucleation layer technology with the high-throughput Sprint CVD tungsten bulk fill process...
첨단 챔버 재료가 “클린 모드” 운영을 가능하게 하여 소유 비용을 줄이고 생산성을 높입니다. 또한 첫 번째 웨이퍼 현상이 제거되어 실제 생산에서도 입증되었듯이 웨이퍼간 공정의 재현성이 보장됩니다.
AdvantEdge Mesa 는...
어플라이드의 Centura Epi 시스템은 생산을 통해 검증된 단일 웨이퍼, 다중 챔버 방식의 에피택시 실리콘 증착 시스템이며 전세계적으로 약 900대의 200mm 챔버가 사용되고 있습니다. 복사열로 가열되는 개개의 공정 챔버가 증착 조건...
