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ALD

최신 마이크로프로세서에 있는 트랜지스터는 매우 작아서 그 안에 있는 임계 필름층 중 일부는 원자 몇 개의 두께밖에 되지 않아서 이 문장의 마침표 안에 백만 개가 훨씬 넘는 트랜지스터가 들어갈 수 있습니다. ALD는 점점 더 많이 사용되고 있는 이러한 극소형 구조를 만들기 위한 하나의 기술입니다.

 

ALD 공정은 칩의 표면에서 물질을 직접, 한 번에 단일 원자층의 한 부분씩 쌓아올려 매우 얇고 균일한 필름을 만듭니다. 이 공정은 자기 제한적 특성과 정합 증착 능력 때문에 미세화와 3D 공정을 구현하는 데 매우 중요합니다. 자기 제한적 표면 반응이 원자 단위의 증착 제어가 가능하게 만듭니다. 필름 두께는 수행된 반응 사이클 수에 따라서만 결정됩니다. 표면 제어 특성으로 인해 매우 높은 필름 정합성과 균일한 두께가 가능합니다. 이 두 가지는 새롭게 떠오르는 3D 소자 설계에서 반드시 필요합니다.

이 비디오에서 어플라이드 머티어리얼즈의 ALD 화학 연구 책임자인 David Thompson 박사가 ALD의 원리를 소개하고 ALD를 대량 칩 제조에 적용할 때 어떤 문제가 있는지 설명합니다.