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VIISta® 900 3D

Varian VIISta 900 3D 시스템은 Varian VIISta 900 XPT의 뒤를 이어 업계를 대표하는 양산용 중전류 이온 주입 장치입니다. 이 새로운 시스템은 새롭게 떠오르는 2xnm 노드 이하의 3D 소자 구조의 제조와 관련해 증가하는 주입(또는 도핑) 정밀도 요건과 무결함 성능 요건을 충족시킵니다. 이 시스템의 빔 라인 구조는 로직 FinFET 및 3D 메모리 구조의 다양한 응용 분야에서 정확한 불순물 배치와 웨이퍼내 그리고 웨이퍼간 변동 최소화에 필요한 각도 정확성과 빔 형상 제어를 구현하도록 특별히 설계되었습니다. 또한 이러한 기능은 CMOS 이미지 센서 기술과 최신 평면 구조에 도움이 됩니다.

이 새로운 시스템은 세계 최고의 파티클 성능이 검증된 VIISta 플랫폼 빔 라인 구조를 활용합니다. 필터 자석이 소스에서 원하지 않는 주입 물질의 대부분을 제거합니다. 3중 자석 구조로 되어 있어 중전류 시스템 중에서 가장 청결한 빔 라인을 구현하고 빔이 웨이퍼에 도달하기 전에 빔에 의해 생성된 금속, 입자, 교차 물질, 오염 물질을 제거합니다. 독보적인 방법으로 수직축과 빔 형상 제어를 결합하여 주입 정확성을 향상시키고 닫힌 루프형 마이크로 및 매크로 균일성 측정으로 주입 변동성을 최소화합니다. 아주 작은 변이도 수율에 크게 영향을 미칠 수 있는 차세대 소자에서 재현성과 정확성이 우수한 주입 각도 제어는 매우 중요한 매개 변수입니다. 이러한 제어는 수직 각도와 수평 각도 정확도를 이전 세대의 기술보다 두 배 향상된 0.1º 수준으로 낮춥니다.

결정 손상 제어는 3D 소자의 성능과 전력 소비량에 매우 중요합니다. VIISta 900 3D 시스템의 두 가지 특징이 이러한 손상을 최소화합니다. 첫째, 일체형 고온 주입 장치가 이온 주입 중에 실리콘과 고이동성 채널 물질의 결정도를 유지합니다. 고온에서 주입이 이루어지기 때문에 3D 구조의 모서리 결함과 성장 결함이 없고 불순물 활성화가 강화되고 결함으로 인한 소자 누설이 적습니다. 둘째, 빔 밀도 조절(주입 속도 제어) 기능으로 주어진 레시피 조건에 대해 결정 손상을 더 줄일 수 있습니다.

향상된 빔 형상과 주입량 제어가 새롭게 최적화된 SuperScan™ 기능을 구현합니다. 이러한 특징은 주입 이외의 전공정 단계에 의해 형성되는 비균일성을 교정해서 소자 성능과 수율을 개선합니다. 새로운 SuperScan 3 알고리즘으로 웨이퍼를 회전할 필요 없이 사실상 원하는 어떠한 패턴에 대해서도 맞춤형 주입을 구현합니다. 이 시스템은 최대 7:1의 주입량 비율로 최대 7개의 다른 영역이 가능할 뿐만 아니라 각 영역에서 뛰어난 주입량 정확성과 균일성을 유지합니다.