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Reflexion® LK Prime™ CMP

어플라이드 Reflexion® LK Prime™ CMP 시스템은 이전 세대의 평탄화 기술을 향상시켜 FinFET와 3차원 수직 구조 낸드 응용 분야에서 나노미터 수준의 정밀도를 달성합니다. 게이트 높이가 조금이라도 차이가 있으면 소자의 성능과 수율이 떨어지기 때문에 이러한 수준의 정밀도가 반드시 필요합니다.

연마 스테이션 6개와 첨단 공정 제어 기능이 적용된 일체형 세정 스테이션 8개를 특징으로 하는 이 시스템은 이러한 3D 응용 분야에서 요구되는 정밀 공정을 구현하고 비길 데 없는 균일성과 고효율을 제공합니다. 세대 플랫폼은 스테이션 7개) 향상, 웨이퍼 핸들링 기능 최적화로 많은 응용 분야에서 웨이퍼 처리량을 이전보다 최대 두 배로 높일 수 있고 생산성을 최대 100% 향상시킬 수 있습니다.

각각의 연마 및 세정 스테이션을 개별적으로 사용할 수 있는 유연성 덕분에 순차, 병렬 또는 일괄 공정을 진행할 수 있고 각각의 가압판에서 더 높은 수준의 맞춤화가 가능합니다. 예를 들어 필름층이 두껍고 표면 형상이 넓은 3차원 수직 구조 낸드는 지속적인 연마 작업이 더 오래 필요합니다. 이것을 여러 가압판에서 더 짧은 연마 작업으로 연속해서 수행해서 안정적이고 예측 가능한 평탄화를 구현합니다. 이는 온웨이퍼 성능을 최적화하고 결함을 줄입니다. 특수화된 연마 헤드 그리고 향상된 실시간 윤곽 및 엔드포인트 제어 기능으로 미래의 소자 기술 요건을 충족시킬 수 있는 정밀한 공정 제어와 재현성을 구현합니다.