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Reflexion® LK CMP

어플라이드 Reflexion LK CMP는 구리 다마신, STI, 산화물, 폴리실리콘, 텅스텐 응용 분야를 위한 검증된 고성능 평탄화 솔루션을 제공합니다. 고속 평탄화 가압판과 다구역 연마 헤드를 사용해 낮은 가압력으로 우수한 균일성과 효율을 구현하고 45nm 미만의 소자에도 적용할 수 있습니다.

일체형 CMP 후속 Desica ® 클리너가 완전 침지형 Marangoni® 증기 건조 기술을 사용해 워터마크 결함을 효과적으로 제거하고 입자 오염을 크게 줄입니다. CMP 이후 웨이퍼가 매우 청결해져서(300mm 웨이퍼에서 45nm 결함 100개 미만) 남아있는 오염 물질은 지구 전체 면적과 비교해 미국 교외의 일반 가정집 정원 크기인 0.3 에이커만을 덮을 수 있는 정도입니다.

또한 어플라이드 Reflexion LK CMP 시스템은 엔드포인트 방식, 인라인 계측, 첨단 공정 제어 기능 등 전체 기능을 갖추고 있어 웨이퍼내 및 웨이퍼간의 공정 제어와 모든 평탄화 응용 분야에 대해 뛰어난 재현성을 지원합니다. 특허를 받은 윈도우 인 패드 기술을 통해 처리량을 줄이지 않고도 모든 웨이퍼에 대해 정확한 실시간 연마 제어를 할 수 있습니다. 모든 스탑인/스탑온 유전체 응용 분야를 위한 새로 나온 FullVision™ 인시츄 엔드포인트 시스템은 광대역 분광법을 사용해 Cpk를 획기적으로 개선할 뿐만 아니라 소모품 세트와 투입 웨이퍼의 편차에 의한 웨이퍼 스크랩을 최소화합니다.