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Raider® GT ECD

형상 크기가 10nm 미만으로 계속 미세화되고 종횡비가 증가(>5:1)함에 따라 상향식 충진과 측벽 억제의 균형을 이루는 무결함 충진을 달성해야 하는 당면 과제에 직면했습니다. 또한 시드층이 더 얇아지고 저항과 소자 밀도가 더 높아지면서 웨이퍼 전반에 걸친 균일한 증착과 높은 소자 수율을 달성하기가 더 어려워지고 있습니다. 상부 금속 스택에는 구리 대신 코발트를 사용하는 것처럼 다른 금속 배선 공정 기술이 요구되고 있습니다.

로직 및 메모리 소자의 구리 인터커넥트 갭 충진을 위한 Raider GT ECD 시스템은 동적 전류 제어 기술, 마이크로초 수준의 레시피 제어, 광범위한 공정 화학 반응(용액 전도도가 낮은 것부터 높은 것까지) 같은 특징이 있습니다. 이러한 특징들은 미세 형상 충진을 최적화하고 웨이퍼 전체에 걸친 증착 균일성을 얻는 데 매우 중요합니다. 웨이퍼를 용액에 넣을 때 그리고 증착 과정 내내 전류 밀도를 동적으로 빠르게 조절하고 제어할 수 있는 시스템 능력이 Raider GT 기술의 핵심입니다.

GT 시스템의 확장성 덕분에 높은 생산성과 낮은 소유 비용으로 20nm 미만의 미세 형상 충진을 구현할 수 있습니다. 독보적으로 유연하게 설계된 Raider GT는 시스템의 일부에서 다른 화학 반응을 진행할 수 있습니다. 두 가지 화학 반응을 동시에 진행할 수도 있고 가동 중지 시간을 최소화하는 구성으로 변경할 수 있어 하나의 화학 공정을 최대의 생산성으로 진행할 수 있습니다.