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Olympia™ ALD

지속적인 공정 미세화로 새로운 차원의 소자 성능을 구현합니다. ALD는 3D NAND와 로직 FinFET 제조에서 점점 더 많아지는 소자 필수 공정을 위해 반드시 필요합니다. 하지만 ALD로 달성하는 정합성과 필름 두께 균일성도 여전히 CD 관리에 중요하긴 하지만 차세대 급에서 제한적인 열처리량 내에서 점점 더 다양해지는 고품질의 견고한 필름을 구현해야 하는 ALD에 대한 추가적인 요구도 있습니다.

유전체와 금속 필름의 독립형 증착을 위한 어플라이드 Olympia™ ALD 시스템은 차세대 노드에서 평면 및 3D 소자를 제조하기 위해 필요한 고품질의 ALD 필름을 낮은 증착 온도에서 얻어야 하는 중대한 당면 과제를 해결해서 새로운 차원의 고성능 ALD를 구현합니다.

오늘날의 ALD는 각각 하나의 원자 두께로 층을 연속해서 증착해서 필름을 도포하는 것만을 의미하지는 않습니다. 이 공정은 종종 이러한 필름에 특정한 특성을 심기 위해 필요한 재료 공정(처리)가 동반됩니다. Olympia 시스템의 기능은 기존 솔루션을 크게 뛰어넘으며 유연한 모듈식 설계를 통해 증착과 재료 공정의 두 가지 기능을 수행합니다. 이러한 모듈식 설계는 오늘날의 첨단 메모리 및 로직 칩을 제조하는 데 요구되는 낮은 증착 온도에서 고품질의 필름을 얻어야 하는 중대한 당면 과제를 해결하는 비길 데 없는 시퀀싱 기능을 제공합니다. 또한 이처럼 유연한 설계 덕분에 차세대 소자에 요구되는 ALD 공정의 품질, 다양성, 열 범위를 구현하는 데 필요한 다양한 전구체와 공정/처리의 조합이 가능하다.

Olympia 챔버에서는 웨이퍼가 각기 다른 화학 반응이 이루어지는 격리된 구역을 통과하면서 회전합니다. 여기서 각각의 웨이퍼는 두 가지 화학 반응에 연속으로 노출되고 웨이퍼 표면과 반응해서 정합 단일 원자층 필름을 형성합니다. 노출 주기마다 단일 원자층이 추가로 하나 씩 증착됩니다. 고객의 특정한 요구를 충족시키기 위해서 처리 공정을 원자 레벨 재료 공정을 위한 시퀀스에 결합할 수 있습니다.
 

Olympia ALD 시스템은 증착 공정에서 사용되는 개별 전구체의 완벽한 분리를 보장하는 혁신적인 화학 관리를 통해 차별화됩니다. 이러한 고유한 특징은 화학 반응이 자유롭게 혼합될 때 형성될 수 있는 해로운 부산물과 입자가 발생할 가능성을 최소화하는 데 매우 중요합니다. 따라서 이 시스템은 결함 발생률이 매우 낮고 챔버 세정 사이의 연장된 기간 동안에도 작동할 수 있습니다. 또한 이 시스템은 각각의 화학 반응 이후의 펌프/퍼지 단계를 없애서 기존의 시간 분리형 ALD보다 생산성이 50% 이상 높습니다.