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Endura® Volta™ CVD W

Endura Volta CVD W(텅스텐) 시스템은 어플라이드 머치어리얼즈의 혁신적인 Volta 챔버 기술과 CVD에 대한 전문 기술을 활용해 중간 라인(최저 레벨 인터커넥트) 응용분야에서 소자 저항을 낮추고 텅스텐 갭 충진을 10nm 이상으로 확장시켜 줍니다. 이 시스템은 업계 최초로 로직 컨택에서 티타늄 질화물(TiN) 차단층과 텅스텐 핵 생성층을 대체할 수 있는 금속-유기물 CVD 텅스텐 필름을 구현합니다. 이를 위해 임계 치수가 계속해서 미세화됨에 따라 텅스텐 벌크 충진을 위한 체적을 늘리고 전기적으로 더 견고한 소자를 생성합니다.

텅스텐은 낮은 저항과 정합 벌크 충진의 특성 때문에 로직 컨택, 중간 라인, 메탈 게이트 충진 응용분야에서 널리 사용되고 있습니다. 컨택과 국소 인터커넥트는 트랜지스터와 회로의 나머지 부분 사이에 중요한 전기 통로를 형성합니다. 따라서 견고하고 믿을 수 있는 소자 성능을 위해서는 낮은 저항이 필수입니다. 하지만 미세화가 진행됨에 따라 컨택 저항이 최적의 트랜지스터 성능을 구현하는 데 방해물이 될 정도까지 인터커넥트 치수가 감소하였습니다.

인터커넥트 단면적이 감소함에 따라 체적의 점점 더 많은 부분을 금속 차단층과 핵 생성층이 차지하게 되면서 전도성 금속 충진을 위한 체적은 줄어들었습니다.  또한 플러그에 있는 각각의 추가적인 금속 경계로 인해 접촉 저항이 악화되었습니다. Volta CVD W 시스템은 특수 화학을 사용한 텅스텐-탄소 필름 증착을 구현하는 챔버 하드웨어 개선을 통해 이러한 문제점을 해소합니다. 이 고유한 재료는 라이너와 핵 생성층의 역할을 모두 할 수 있습니다. 이 시스템은 유전체와 강력하게 결합하고 이어지는 벌크 증착 공정에서 불소가 확산되는 것을 방지합니다. 이 시스템의 저항은 일반적인 라이너(TiN 등)보다 70% 이상 낮습니다. 또한 필름이 주로 텅스텐으로 되어 있기 때문에 벌크 텅스텐을 위한 핵 생성 기질로 작용합니다. 따라서 경계 필름의 전체 두께가 더 얇고 저저항 텅스텐 충진을 위한 체적이 늘어납니다. 

Volta CVD W 필름은 임계 치수와 공정 흐름에 따라 접촉 저항을 최대 90%만큼 낮춥니다. 이에 따라 소자 전력 공급, 성능, 유효성을 향상시키고 차세대 소자를 위한 텅스텐 중간 라인 인터커넥트 플러그를 확장합니다. 또한 이처럼 저항이 더 낮기 때문에 어떤 급에서도 공격적인 미세화가 가능하여 더 높은 소자 밀도를 구현할 수 있습니다.

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