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Endura® Versa™ XLR W PVD

첨단 소자에서는 DRAM 구조로부터의 데이터 전송 속도가 시스템 성능을 제한하는 요소가 됩니다. 이러한 데이터 전송의 속도를 높이려면 주변부 게이트컨택이 더 빨라져야 합니다. Endura Versa XLR W PVD 시스템은 저저항 텅스텐 필름을 증착해서 최저 저항의 메모리 게이트 전극을 구현합니다.

텅스텐은 공정 흐름이나 집적화 방식을 변경하지 않고 3D 소자 아키텍처에서 게이트 스택에 사용할 수 있습니다. 그 결과 회로 레이아웃의 유연성이 증가하면서 설계자들이 보다 용이하게 설계할 수 있습니다. 또한 기존의 PVD 텅스텐 기술에 비해 공정 키트 사용 수명이 2배나 길어져 웨이퍼당 소모품 비용이 10% 감소됩니다.