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Endura® iLB™ PVD/ALD

Centinel™ 챔버를 탑재한 Applied Endura iLB PVD/ALD 시스템은 치수가 작아지고 통합 iLB 두께가 텅스텐 플러그 체적을 더 많이 소비해서 발생하는 컨택 저항 증가 문제를 해결해 줍니다.

이 시스템은 균일한 초박막 고품질 차단층의 피복률을 90% 이상으로 구현함으로써 고객들이 가지고 있는 기존의 iLB PVD/CVD 설치 기반을 32nm 이상으로 확대하기 위한 ALD(원자층 증착) 기술을 비용 효율적으로 사용할 수 있는 방법을 제공합니다. 이 시스템은 플라즈마 손상이나 고 유전율 재료 특성의 부정적인 변화가 발생할 위험을 최소화하면서 TiN 필름을 증착하여 첨단 메모리 응용 분야를 구현합니다.

Centinel 기술은 32nm 이하 로직 소자의 컨택 저항이 더 낮은 최적의 텅스텐 체적을 구현하는 RE-ALD(래디컬 보강 원자층 증착) 챔버로 Endura iLB 통합 PVD/CVD(물리기상증착/화학기상증착) 공정 플랫폼을 개선합니다. 또한 이 기술은 4X 노드 임베디드 DRAM, DRAM 전극, 매립 워드라인 응용분야에도 사용할 수 있습니다.

Centinel 공정을 통해 구현되는 뛰어난 스텝 커버리지를 통해 형상 내에서 증착 균일성을 최적화하기 위해 필요한 차단층 두께를 최소화할 수 있습니다. 극도로 얇은 차단층은 텅스텐 충진을 위한 체적을 극대화할 뿐만 아니라 각 웨이퍼 공정에 요구되는 시간을 단축하고 생산성을 높여줍니다. 후면 증착이 없기 때문에 후면 세정으로 생산성이 저하되지 않습니다. 또한 챔버가 가동되는 공정 온도가 낮아져서 고 유전율 소재에 대한 재결정화 손상을 피할 수 있다는 것도 장점입니다.