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Endura® Avenir™ RF PVD

소자가 미세화됨에 따라 형상 취약성과 종횡비가 더 커졌고 그에 따라 현재의 PVD 기술로는 좁고 깊은 구조물을 채우고 플라즈마 손상을 피하는 일이 더 어려워지고 있습니다. 저전력 RF 기반 플라즈마를 이용하면 손상 위험은 최소화되고 더욱 균일한 플라즈마 밀도 분포를 얻을 수 있어 바닥 피복성과 균일성이 향상됩니다.

Endura Avenir 시스템의 RF PVD 기술은 고 유전율/메탈 게이트 응용과 로직 컨택 실리사이데이션(22nm 이하) 공정을 지원합니다.

고 유전율/메탈 트랜지스터의 경우 게이트 퍼스트와 게이트 라스트 집적 공정을 지원하는 솔루션을 제공하므로 칩 제조사는 두 접근법을 쉽게 전환하여 사용할 수 있습니다. 게이트 퍼스트 공정의 경우, RF PVD 기술을 통해 매우 균일하고 연속적인 박막(<10Å) 증착을 제어할 수 있습니다. 게이트 라스트 공정의 경우에는 고압의 용량 결합 플라즈마 공정을 사용해 바닥 피복률을 높이고 돌출부를 최소화합니다. 또한, RF PVD 기술은 초박막 캡층과 메탈 게이트 필름을 증착할 때 손상을 최소화해서 전하 포획 현상이 없는 경계면을 구현합니다. 시스템의 조절 기능으로 필름 균일도를 훼손하지 않으면서 전반적인 Vt 제어를 위해 TiN 필름의 화학량을 정확하게 제어할 수 있습니다. 유효 작업 함수와 관련해 NMOS의 경우에는 4.2eV 미만이어야 하고 PMOS의 경우에는 5.0eV를 초과해야 높은 성능을 얻을 수 있습니다.

RF PVD 실리사이데이션 챔버는 기존의 PVD Ni(Pt) 공정으로 가능했던 바닥 피복율을 배가시켜 5:1 종횡비 구조의 바닥에서 70% 이상의 필드 두께를 달성하고 형상 내부와 웨이퍼 중심에서 가장자리까지 균일한 바닥 피복률을 제공합니다. 바닥 피복성이 균일하면(3%, 1σ) 저항이 균일하고 누설이 감소하며 플래티넘 성분 균일성이 높으면 소자 수율이 높아집니다. 이 시스템은 현재의 PVD Ni(Pt) 기술과 비교하여 동일한 성과를 얻는 데 필요한 소모품 비용이 30% 더 낮습니다.

생산을 통해 검증된 Endura 플랫폼은 고 유전율/메탈 게이트 및 로직 컨택 실리사이데이션을 위한 고유의 통합 기능을 제공합니다. 게이트 응용 분야의 경우에는 PVDCVD, ALD 등의 모든 기술을 제공합니다. 컨택의 경우에는 Siconi™ 전세정, 실리사이데이션, 티타늄 질화물 캡핑 공정이 결합되었습니다.

고종횡비 Ni(Pt) 로직 컨택 실리사이데이션을 위해 이 시스템은 고압의 용량 결합 플라즈마 모드로 작동해 금속 이온화 밀도와 바닥 피복률을 향상시킵니다.