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Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

Applied Endura ALPS(Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD(물리기상증착) 시스템은 고종횡비 구조의 게이트컨택 응용분야를 위한 간편하고 성능이 뛰어난 실리사이드 솔루션을 제공합니다. 코발트를 90nm 이하의 기술 노드로 확장하는 ALPS 기술은 소자에 대한 플라즈마 손상이 없이 우수한 코발트 바닥 피복성을 형성하고 결함 발생율도 매우 낮습니다. Endura ALPS Co는 티타늄 응집, 접촉 저항 변화, 우수한 저항을 통한 도펀트 흡입, 낮은 누설 전류, 열 안정성 등의 문제를 해결합니다.

65nm/55nm 이하의 로직 및 메모리 응용분야에서는 코발트의 실리콘 소비량과 코발트 실리사이드/실리콘 계면의 거칠기가 더 중요해집니다. Endura ALPS Ni PVD 시스템은 실리콘 소비량이 2배 미만이고 필름 경계가 더 부드러우며 저항이 더 낮은 안정적인 NiSi 필름을 구현합니다.ALPS Ni는 입자 개수를 최소화하면서 소자에 대한 플라즈마 손상 없이 100Å의 바닥 피복성을 달성합니다.

어플라이드 Endura ALPS Ni PVD 시스템은 NiSi 형성 전에 실리콘 세정과 관련된 표면 준비의 문제를 해결하기 위해 싱글 챔버 Siconi Preclean 계면 공학 기술을 사용합니다. Siconi Preclean은 기존의 HF 세정 공정에서 요구되던 세정과 Ni 증착 사이의 촉박한 공정 대기 시간 관리의 필요 없이 매우 선별적인 세정(>20:1 SiO2:Si, >5:1 SiO2:SiN) 기능을 제공합니다. 원격 플라즈마 발생원에서 식각 재료를 만들기 때문에 기판 손상이 크게 줄어들고 결과적으로 질화물 스페이서, 실리콘 게이트 등의 형상의 식각을 최소화합니다. 또한 소자 시험에서 기존의 HF 잠김 공정 흐름에 비해 Siconi Preclean을 사용했을 때 NiSi2 스파이크 결함이 더 적고 접합 누설이 향상되는 것으로 나타났습니다.