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Centura® RP Epi

CMOS 기술에는 PMOSNMOS의 두 가지 유형의 트랜지스터가 필요합니다. PMOS의 경우 채널을 압축해서(격자 간격을 줄여), 즉 세로 방향의 간격을 줄여 원자 결합을 더 강하게 하면 모빌리티가 향상되어 좋은 결과를 이룰 수 있습니다. NMOS는 세로 방향의 간격을 늘리고 이동성을 방해하는 전자 충돌을 줄이기 위해 인장력(격자를 당김)이 필요합니다.

어플라이드 Centura RP Epi 시스템은 10년 이상 업계를 선도해 오고 있으며. Epi기판 형성부터 첨단 로직 및 메모리의 PMOS 트랜지스터 성능 개선을 위한 선별적 SiGe의 인시츄 도핑 등 다양한 EPI 솔루션을 제공합니다. 어플라이드의 독자적인 Epi 기술은 우수한 필름 특성, 균일성, 매우 낮은 결함 수준을 구현합니다. 이러한 전문 기술을 활용한 새로운 공정 기술력이 현재 NMOS 트랜지스터용 EPI기술을 담고있는 Centura RP Epi 시스템 제품군을 확장시켜 차세대 모바일기술에서 NMOS 구동 전류(속도)를 20% 늘릴 수 있습니다. 이러한 성능 향상은 노드를 절반으로 줄이고 진보하는 모바일 응용 분야의 공정능력을 효과적으로 개선하는 것과 같습니다.

NMOS Transistor Type Animation
PMOS Transistor Type Animation

Centura 플랫폼통합된 Siconi 기술은 진공을 유지하면서, 저온 플라즈마 기반의 전세정 기능을 제공함으로써 첨단 기술의 저온 Epi공정을 구현합니다. 이 과정들은 HF 잠김 공정과 이후3x nm급 이하 소자에 성장 문제를 야기하는 고온 수소 베이크 과정을 제거해 줍니다. 또한 공정 대기 시간을 없애고 각각의 독립체계의 공정에 비해 계면 오염도를 수십 배 이상 줄입니다.