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Centura® iSprint™ Tungsten ALD/CVD

Applied Centura iSprint Tungsten ALD/CVD(원자층 증착/화학기상증착) 시스템은 고종횡비 구조물을 위 하여 컨택/비아를 완전히 매립해주고 텅스템 기술능력을 로직 및 메모리 애플리케이션에 대해 45nm/55nm까지 확장해줍니다.

이 시스템은 보이드(void)가 없고 CMP 호환이 가능한 텅스텐 플러그를 구현하기 위해 혁신적인 ALD 텅스텐 핵생성층 기술과 고처리율(high-throughput)의 Sprint CVD 텅스텐 벌크필(bulk fill) 공정을 결합한 시스템입니다.

ALD 공정은 핵생성 두께를 통상적인 CVD 값인 300Å에서 최대 12Å까지 얇게 줄여주는 한편, Ti/MOCVD TiN liner/barrier와의 안정적이고 반복적인 통합을 위한 뛰어난 차단 성능을 유지합니다.

아울러 iSprint 시스템은 가스는 더 적게 사용하면서 빠르고 효율적인 가스퍼징(purging)을 실현하는 어플라이드머티어리얼즈의 독자적인 고속 가스 주입 시스템과 소규모 챔버 볼륨을 갖춘 최적화된 ALD 챔버 설계를 통해 높은 처리율과 낮은 소모품 비용을 구현합니다.