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Centura DxZ CVD 200mm

첨단 MEMS, 전력 소자, 패키징 시장의 제조 요건을 충족시키기 위해서 첨단 200mm 화학 기상 증착 기술의 필요성이 높아졌습니다. 이제는 초후막 산화층(≥20µm), 저온(180-350°C), 정합, 낮은 습식 식각률(WER) 필름과 굴절 지수(RI)를 조절할 수 있는 도핑 필름이 새롭게 떠오르는 소자 기술에 대한 제조 요건으로 인식되고 있습니다.

이러한 필름은 Centura DxZ CVD 시스템에서 처리할 수 있는 다양한 공정 포트폴리오에 해당됩니다. 유전체 CVD 필름에 대한 어플라이드의 강점은 TEOS, 실란 기반 산화물과 질화물에서 시작되었으며 저 유전율, 신축 변형 가공, 리소그래피 구현 필름을 포함한 첨단 칩 제조 공정에 대한 리더십으로 확대되었습니다.

또한 Centura DxZ SACVD(대기압 미만 CVD) 시스템은 다양한 도핑(포스핀, 붕소, 불소) 및 무도핑 갭 충진 솔루션을 구현합니다. 이러한 공정은 트렌치 소자 분리(STI), 전금속 유전체(PMD), 층간 절연체(ILD), 금속간 절연체(IMD) 등과 같은 응용 분야에 사용됩니다.

Centura DxZ CVD 챔버는 비소모성 저항식 히터와 세라믹 부품으로 구성되며 비용, 처리량, 서비스 편의성, 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 또한 DxZ 공정 키트는 비소모성 부품으로 구성되어 있습니다. 단일 웨이퍼 다중 챔버 구조를 사용하는 Centura DxZ는 최대 100WPH(3,000Å PE TEOS 및 플라즈마 실란)와 55WPH(3000Å SACVD USG)의 처리량을 구현합니다. 체계적인 설계와 챔버 소형화를 통해 증착과 화학 물질 세정을 위한 효율적인 가스 사용을 구현해서 전체적인 소유 비용을 줄일 수 있게 해줍니다.