skip to main content

Centura® Avatar™ 식각

전통적인 평면 플래시 메모리 기술은 중대한 미세화 한계에 도달하고 있고 그로 인해 3D 솔루션 전환을 앞당기고 있습니다. 이러한 한계는 특히 고종횡비 특성의 유전체 식각에 있어 중요한 당면 과제입니다.뿐만 아니라, 새로운 3D NAND 구조는 유전체 층들이 교대로 적층된 스택을 포함하고 있어 식각 시스템에 대한 요구를 더욱 심화시킵니다. 최대 80:1의 종횡비를 가진 형상을 웨이퍼 전체에서 정확히 윤곽을 제어하고, 높은 처리 성능을 가져야 하며, 3D NAND의 전형적인 계단식 컨택 구조를 위한 매우 높은 텅스텐 선택비를 제공할 수 있어야 합니다.

Brad Howard가 3D NAND플래시 메모리를 식각하는 데에 따르는 어려움을 설명하고 Avatar 시스템의 획기적인 해법을 제시합니다.

어플라이드 Avatar 시스템은 각각의 식각 시퀀스의 정확한 온도 설정과 안정성을 보장하기 위해 단계별 온도 조절 및 제어 능력을 3중 주파수 전력 및 다중 구역 가스 주입 기능과 결합하여 우수한 윤곽 제어 능력과 함께 아주 깊은 식각을 이루어낼 수 있습니다. 고객은 웨이퍼 전체에 걸쳐 97%의 상하 CD 비율로 그리고 측벽 휨 없이 고처리 성능으로 우수한 고성능 차세대 소자를 생산할 수 있습니다. 뿐만 아니라 고선택비 식각 공정이 가능해 컨택 하부 물질의 손실이 매우 적습니다.

이러한 능력은 3D NAND 계단식 컨택 구조에 꼭 필요한 것입니다. 가장 얕은 컨택 구멍의 바닥에 있는 텅스텐(또는 미래의 컨택 소재)의 손상없이 다층 컨택 식각 공정을 한번에 수행하려면 이온 에너지, 웨이퍼 온도, 페시베이션을 매우 정교하게 제어할 수 있어야 합니다.

충분한 마스크 선택비와 무결점을 유지하는 것은 HAR 식각에 있어 매우 중요하면서도 어렵습니다. 이러한분야의 적용을 위해 매우 높은 주파수의 탑 소스 튜닝은 더 높은 플라즈마 밀도를 만들어내고 윤곽과 선택비에 영향을 주지 않고서도 마스크 식각 속도와 처리 능력을 높일 수 있습니다.