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Centura®AdvantEdge™ Mesa™ Etch

어플라이드 Centura AdvantEdge Mesa의 실리콘 식각 시스템은 32nm 이하에서 소자 분리막(STI), 매몰 비트/워드 라인, 이중 패터닝 공정에서 옴스트롱 수준의 정밀성을 구현합니다. 이 시스템의 혁신적인 유도 결합플라즈마(ICP) 소스가 ICP 고유의 링 모양 전력 커플링 흔적을 제거해 균일성을 높여줍니다. 챔버 중심에서 경계면에 이르는 플라즈마 특성을 제어함으로써 공정 유연성을 최대로 높일 수 있습니다.

첨단 챔버 재료가 “클린 모드” 운영을 가능하게 하여 소유 비용을 줄이고 생산성을 높입니다. 또한 첫 번째 웨이퍼 현상이 제거되어 실제 생산에서도 입증되었듯이 웨이퍼간 공정의 재현성이 보장됩니다.

AdvantEdge Mesa 는 웨이퍼 가장자리까지 식각 깊이 비균일도가 1% 미만이고 3σ CD 바이어스 균일도가 1nm 미만이고 다른 첨단 실리콘 식각 장비의 절반에 지나지 않는 운영비로 최고의 웨이퍼 처리 효율을 구현합니다.

Pulsync 기술은 혁신적인 동기식 플라즈마 펄싱으로 플라즈마의 중립-이온 밀도 제어 능력을 강화합니다. 해당 기술을 통해, 고객들은 형태화와 3xnm 수준의 노드 그 이상의 임계 실리콘 식각을 가능하게 하는 마이크로로딩 감소를 누릴 수 있습니다. Pulsync는 래디컬 리치, 저전자 온도 플라즈마를 제공하여 게이트 식각을 위한 자외선 조사와 전하 축적으로 인한 손상을 최소화합니다.

이 시스템의 첨단 정전기 척 에지 온도 제어(edge temperature control)는 웨이퍼 가장자리의 온도 균일성과 온도 제어 능력을 향상시킴으로써 웨이퍼당 다이 수율을 높여줍니다.