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CENTRIS® SYM3™ ETCH

반도체가 계속해서 미세화되면서 칩 제조의 정확성과 균일성에 대한 요구가 점점 더 높아짐에 따라 지난 10년 동안 실리콘 식각 챔버가 완전히 새롭게 재설계되었습니다. 그에 따라 나온 어플라이드의 Centris Sym3 시스템은 세계적인 수준의 웨이퍼간 균일성을 제공하고 1x/10nm 기술 노드 이상의 양산을 위한 중요한 식각 응용 분야에서 전례 없는 칩 내부 형상 제어력을 발휘합니다.

형상이 더 컸던 이전 기술 노드에서는 소자 성능에 대한 영향 없이 더 큰 범위의 식각 깊이, 선/공간 너비, 측면 각도의 편차가 수용될 수 있었습니다. 이와 유사하게 이따금 형상 표면에 입자가 남아 있더라도 소자 신뢰도를 해치지 않았습니다. 하지만 1x/10nm 기술 양식에서는 식각 깊이, 선/공간 너비 또는 측면 각도에서 아주 작은 차이가 있더라도 칩 제조에 치명적인 결함이 될 수 있습니다. 그리고 무결함 표면도 똑같이 필수적입니다.

그러한 정밀한 패턴 생성을 위해 엄격한 고난도 수준의 칩 내부 식각 제어력을 달성하기 위해서 이 새 시스템은 편차의 주요 원인인 식각 부산물 제거를 가속화하는 매우 효과적인 세정 챔버 환경을 조성합니다. 챔버 체적이 더 크고 가스 유속이 더 높아 웨이퍼에 재침적되는 부산물의 양을 최소화합니다. 이러한 부산물은 좁은 공간에서 막힘을 일으키거나, 식각 깊이 편차를 유발하거나, 고밀도로 집적된 형상과 따로 떨어진 형상간에 부적절한 편차를 유발하거나, 라인 에지 거칠기를 악화시킬 수 있습니다. 또한 부산물 침적을 막으면 입자 생성과 그에 따른 결함 발생이 줄어듭니다.

식각 부산물이 형상 측벽에 축적되어 좁은 구멍이 막힙니다.
따라서 좁은 형상은 넓은 형상만큼 깊게 에칭할 수 없습니다.
이러한 효과를 깊이 로딩이라고 부릅니다.
식각 부산물은 고밀도로 집적된 형상보다 따로 떨어진
형상의 측벽에 더 많이 축적됩니다. 따라서 최종
너비가 다릅니다. 이러한 효과를 패턴 로딩이라고 부릅니다.

이러한 향상된 칩 내부 식각 정확성이 전체 웨이퍼로 확장되도록 만드는 Centris Sym3 시스템은 필요한 전력, 가스 공급, 열 특성의 True Symmetry™를 위해 완전히 재설계되었습니다. 또한 Pulsync™ 개선으로 동기화된 플라즈마 펄스의 유효성을 향상시키고 패턴 로딩을 최소화합니다. 사용자가 고종횡비의 까다로운 형상의 식각 공정을 쉽게 만들어주는 최적의 이중 주파수 바이어스를 사용해 성능을 더 높일 수 있습니다.

재설계된 Sym3 챔버 환경이 칩 내부의 몇 개의 원자층에, 챕간에 그리고 웨이퍼간에 공정 제어가 가능하도록 만듭니다. Centris 플랫폼은 6개의 식각 챔버간에 그리고 플랫폼에 장착된 2개의 플라즈마 세척 챔버간에 정확한 공정 매칭을 보장하는 시스템 지능 소프트웨어를 통해 양산를 위해 요구되는 우수한 재현성과 높은 생산성을 제공합니다.