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Centris® AdvantEdge™ Mesa™ 식각

어플라이드 Centris AdvantEdge Mesa는 어플라이드의 최첨단 실리콘 식각 시스템으로서, 22nm 이하의 첨단 로직 및 메모리 칩을 성공적으로 제조하기 위해 필요한 정밀성, 지능성, 생산성을 제공합니다. 업계를 선도하는 어플라이드의 AdvantEdge Mesa 식각 챔버 기술을 기반으로 한 Centris 시스템은 모든 웨이퍼에서 옹스트롬 수준의 균일성으로 나노 스케일 회로 형상을 이루어낼 수 있습니다. 대량 칩 생산에서 높은 수율을 달성하기 위해서는 필수적인 기능입니다.

Mike Rice가 나노 스케일의 정확성과 높은 생산성을 위해 설계된 Centris 식각 플랫폼을 소개합니다.

혁신적인 어플라이드 Centris 플랫폼은 최대 8개의 공정 챔버, 구체적으로는 6개의 식각 챔버와 2개의 플라즈마 클린 챔버로 구성할 수 있습니다. 고속 이송 로봇으로 경쟁 시스템에 비해 거의 2배나 빠른 시간당 최대 180개의 웨이퍼 처리 속도를 구현합니다.

식각 후 할로겐 잔여물을 제거하는 2개의 플라즈마 세정 챔버가 진공 로드락에 장착되어 있습니다. 이 혁신적인 시스템은 전례없이 많은 식각 공정 챔버 배치를 가능하게 하고 종래의 실리콘 식각 시스템 대비 2배의 용량을 제공합니다.

독점적인 “스마트” 시스템 감시 소프트웨어와 소급성 인정 표준이 6개 식각 챔버에서 정확히 일치되는 성능을 구현하고 처리된 모든 웨이퍼에서 업계 최고의 나노미터 미만의 CD 균일성(3σ) 을 보장합니다. Mesa 기술은 유례없이 우수한 웨이퍼간 재현성은 물론 웨이퍼 안쪽에서 가장자리까지 평평하고 균일한 식각 윤곽을 형성하고 리소그래피 패턴을 정확하게 옮겨 다이 수율을 크게 높입니다. 옵션인 Pulsync 기술은 마이크로로딩을 크게 줄이는 정교한 플라즈마 제어를 위해 혁신적인 동기화 플라즈마 펄싱 기능을 추가해 패터닝과 식각 정밀성을 최적화합니다.

칩 제조사들이 추구하는 지속 가능한 생산 계획을 지원할 수 있도록 설계된 Centris 플랫폼은 다른 메인프레임에 비해 훨씬 적은 물과 에너지를 소비합니다. 연평균 600,000파운드의 CO2 배출량*에 해당하는 전기, 물, 가스를 절약할 수 있어 다른 시스템에 비해 소유 비용이 30% 낮습니다.

Centris AdvantEdge Mesa 시스템은 소자 분리막(STI), 매몰 비트 및 워드 라인, 이중 패턴 칩 구조의 식각 공정에 사용합니다. 이 시스템의 동급 최강의 성능은 1%의 낮은 식각 깊이 비균일도와 나노미터 미만의 CD 균일도를 구현해 고객이 회로 형상을 미세화하고 누설 전류를 제어하고 높은 생산 수율을 달성하고 미래의 매우 복잡한 칩 설계를 실현하도록 돕습니다.

* Calculated using SEMI S23 methodology
** Copyright ⓒ 2009 IEEE. This material is posted here with permission of the IEEE. Such permission of the IEEE does not in any way imply IEEE endorsement of any of Applied Materials' products or services. Internal or personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution must be obtained from the IEEE by writing to pubs-permissions@ieee.org. By choosing to view this document, you agree to all provisions of the copyright laws protecting it.
*** Copyright (2009) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. This article appeared in The Journal of Applied Physics 106, 1-3305, 2009 and may also be found at http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v106/i10/p103305_s1
**** Posted with permission from ECS Transactions, 27 (1) 717-723 (2010). Copyright 2010, The Electrochemical Society