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패키징

전자 제품 소형화과 끝없는 다이 축소 요구를 충족시키기 위해서 반도체 제조 산업에서 오랫동안 논의된 IC 수직 집적 공정이 마침내 생산 단계로 넘어갔습니다.

이러한 변화에 따라 비용 효과적인 실리콘 관통 전극 공정이 ≤200mm 생산을 포함한 최첨단 IDM 및 파운드리의 생산능력에서 점점 더 중요한 부분을 차지하게 되었습니다. 수직 패키지에 집적되는 소자가 더 작은 지름으로 확장될수록 더 높은 종횡비의 비아가 필요합니다. 이에 따라 높은 신뢰도, 낮은 저항 컨택을 구현하기 위한 식각과 증착 기술의 난이도가 높아집니다.

이러한 필름과 식각 공정은 IC 제조에 사용되는 공정과 비슷하지만 이러한 큰 형상(일반적으로 5-25µm)을 위한 최적화가 필요합니다. 요구되는 공정으로는 실리콘과 산화물 필름의 DRIE(Deep Reactive Ion Etch) 식각, 유전체 라이너와 PVD 라이너/차단층의 정합 증착, 공극 없는 플러그 충진이 있습니다.

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