次世代 DRAM

従来のDRAM 構造ではビットラインやワードラインがストレージ キャパシタを取り囲んでいました。大手メモリメーカーは、より多くのビットを詰め込むため、シリコンウェーハ内のキャパシタの下側にアドレスラインを埋め込んでいます。アプライド マテリアルズは、この新しいアプローチを実現するためのさまざまな製造技術を開発して、この新しい構造に伴う課題に対応しました。