次世代 DRAM チップ
従来のDRAM 構造ではビットラインやワードラインがストレージ キャパシタを取り囲んでいました。大手メモリメーカーは、より多くのビットを詰め込むため、シリコンウェーハ内のキャパシタの下側にアドレスラインを埋め込んでいます。アプライド マテリアルズは、この新しいアプローチを実現するためのさまざまな製造技術を開発して、この新しい構造に伴う課題に対応しました。
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次世代 NAND チップ
従来のフラッシュ メモリ セルのスケーリングが非現実的となり、多くの大手メーカーは「3D 積層型 NAND」と呼ばれる技術を開発しています。複数の 2D メモリ配列がそれぞれの上に作製されるため、各セルのサイズを小さくしなくてもチップの容量が増加します。Applied 社の革新的なシステムは、フラッシュ メモリ メーカーによるこのすばらしい新技術の導入を支援しています。
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