先端チップの配線構造の構築に使用されるシーケンスはダマシンプロセスと言われます。絶縁膜の層に溝（トレンチ）をエッチングし、ライナー膜を埋めた後Ｃｕを埋め込みます。Ｃｕ配線は抵抗を最小化しスイッチング速度を最大化します。それに加え、「low-k膜」と呼ばれる低誘電率絶縁材料を採用することにより、信号速度はさらに向上します。
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