skip to main content

PVD

PVD 成膜プロセスは、先進のトランジスタ向けのHigh-k/メタルゲートにおける、極薄キャップ相とメタルゲート膜の作成、配線の極薄バリア材料とシード層の形成に使用されます。

最先端のデバイスでは、等角性および均一性の高い超薄膜の生成が非常に困難になってきています。アプライド マテリアルズのプロセスは、最終デバイスの適切な電気的性能の確保において、より優れた結果を提供します。