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Olympia™

継続的なプロセスの微細化が、デバイス性能の新境地を牽引しています。デバイスに不可欠な工程数が増加し続けている、三次元NANDやロジックFinFET製造では、ALD(原子層成長)が非常に重要です。ALDで実現されるコンフォーマル性や均一な膜厚は、依然としてCD(限界寸法)管理に必須とされながら、 ALDにはさらに、高品質かつ堅牢な様々な膜を次世代ノードの限定されたサーマルバジェット 内で実現するという、新たな要求が 課せらています。

誘電体とメタル膜のスタンドアロン成膜用のApplied Olympia™ ALD装置は、次世代ノードで平坦かつ三次元のデバイスを製造するために必要な低成膜温度で高品質のALD膜を形成するという、重要な課題を解決し、新たなレベルの高性能ALDを提供します。