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Olympia™

継続的なプロセスの微細化が、デバイス性能の新境地を牽引しています。デバイスに不可欠な工程数が増加し続けている、三次元NANDやロジックFinFET製造では、ALD(原子層成長)が非常に重要です。ALDで実現されるコンフォーマル性や均一な膜厚は、依然としてCD(限界寸法)管理に必須とされながら、 ALDにはさらに、高品質かつ堅牢な様々な膜を次世代ノードの限定されたサーマルバジェット 内で実現するという、新たな要求が 課せらています。