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イオン注入

イオン注入 (ドーピングの一方式) は、集積回路の製造に不可欠な手法です。チップの複雑化に伴い、注入工程数が増加しています。近年のメモリを埋め込んだCMOS集積回路では、注入回数が最大60回にまで達しています。