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Varian VIISta® PLAD

Varian VIISta PLAD™プラズマベース、超高ドーズ注入テクノロジーは、製造現場で実績のある、デリケートな回路の機能に影響を与えない、低エネルギーのプロセスを使用して、ウェーハ表面全体に高濃度ドーパントの急速注入を行います。

同システムは業界をリードするドーズの保持と均一性を提供し、次のメリットを提供します。

  • 高密度の低エネルギープラズマで、基板のエッチングやダメージのない高い生産性を実現
  • 先進のRF技術により、独自の成膜制御が容易に
  • パルスDCバイアスにより、幅広いプロセスウィンドウにわたって正確なエネルギー、深度、ドーズ制御を提供
  • 可変式デューティ比により、プロセスの柔軟性を強化
  • 閉ループファラデーがin-situドーズ制御に伴う大量生産のリスクを最小化

VIISta PLAD™テクノロジーは、他のVarian注入システムと共通のVIIStaプラットフォームに導入されています。この共通性が、最初のシリコン製造までの時間短縮と、すべてのアプリケーションにおよぶ生産性の向上を支援します。