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VIISta® 900 3D

Varian VIISta 900 3Dシステムは、大量生産用の中電流イオン注入機の業界のフラグシップモデルであるVarian VIISta 900 XPTの後継機種です。この新システムは注入(またはドーピング)精度への高まる要求と、新興の2xnmテクノロジーノード以降の3Dデバイスアーキテクチャの製造における、ゼロ欠陥性能への需要に対応します。ビームラインアーキテクチャは、正確なドーパントの位置と、ロジックFinFETsと3Dメモリ構造の様々なアプリケーションにおいて、ウェーハ内およびウェーハ間のばらつきを最小限に抑えるために必要な、入射角精度とビーム形状の制御を達成するために特別にデザインされています。このような機能はCMOSイメージセンサ技術や最先端のプレーナ構造にも有益です。

新システムは、VIIStaプラットフォームのビームラインアーキテクチャにおいて実証された、世界トップクラスのパーティクル性能を活用しています。フィルターマグネットは、ソースにある不要な注入物のほとんどを除去します。トリプルマグネットアーキテクチャは、中電流システムに採用されている中で最もクリーンなビームラインを供給し、ビーム由来の金属、パーティクル、異種、コンタミネーションを、ビームがウェーハに到達するかなり前に除去します。垂直角度とビーム形状制御を独自に組み合わせ、注入精度と注入のばらつきを最小限に抑える閉ループのマイクロおよびマクロ均一性の計測を改善します。再現性のある正確な注入角度制御は、先進のデバイスにとって重要なパラメータで、わずかな変動でも歩留まりに深刻な影響を与えます。垂直角、水平角の精度を前世代のテクノロジーより2倍も向上した0. 1ºまで厳格に制御しています。

結晶のダメージ制御は3Dデバイスの性能と消費電力にとって重要です。VIISta 900 3Dシステムの2つの機能がこのようなダメージを最低限に抑えます。まず、組み込まれた高温注入機能は、イオン注入時のシリコンの結晶化度とチャネル材料の高い移動度を維持します。高温での注入は3D構造でのコーナーや成長における欠陥を防ぎ、ドーパントの活性化を促し、欠陥によるデバイスのリークを減少させます。二つ目は、ビーム密度調整(ドーズレート制御)で、所定のレシピ条件における結晶へのダメージを大幅に削減することができます。

ビーム形状とドーズ制御の強化により、SuperScan™ 機能の新たな最適化が可能になります。同機能により、注入以外の上流プロセスステップで起きる非均一性を修正し、デバイス性能と歩留まりを向上します。新しいSuperScan 3アルゴリズムにより、ウェーハを回転させることなく、事実上、いかなるパターン要求にも対応するカスタムドーズが可能になります。同システムは、異なるゾーン内でのドーズ精度と均一性を維持しつつ、ゾーンドーズ比最高7:1で7種類までの異なるゾーンに対応します。