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Reflexion® LK Prime™ CMP

Applied Reflexion® LK Prime™ CMP装置は、FinFETおよび3D NANDアプリケーションにおいてナノメーターレベルの精度を達成するため、前世代の平坦化テクノロジーを強化しました。ゲート高の最小のばらつきがデバイスの性能や歩留まりを損なうため、このレベルの精度が重要になります。

先進のプロセス制御を備えた6つの研磨ステーションと8つの統合クリーニングステーションを装備し、同システムはこれらの3Dアプリケーションで求められる高精度なプロセスを、比類のない均一性と高いスループットにて提供します。より優れた研磨およびクリーニング能力(前世代のプラットフォームの7つのステーションに対して14)、最適化されたウェーハハンドリングにより、多くのアプリケーションにおいてウェーハのスループットが最大2倍になり、生産性が最大100%向上します。

研磨およびクリーニングステーションをそれぞれ独立して使用できる柔軟性により、継続、平行、またはバッチプロセスといった操作の柔軟性とともに、各プラテンの大幅なカスタマイズが可能になります。例えば、厚膜の層と3D NANDの幅の広いトポグラフィーには、長く安定した研磨が必要です。これらを複数のプラテンを通じて、より短い研磨を繰り返すことによって実行することで、安定した予測可能な平坦化を可能にします。これにより、ウェーハ上の性能を最適化し、欠陥を低減します。特別な研磨ヘッドと強化されたリアルタイムプロファイル、エンドポイント制御は、未来のデバイスノードの要求を満たす、正確なプロセス制御と再現性に貢献します。