Reflexion^® LK Prime^® CMP

Reflexion LK Primeは、４つの研磨パッド、６つの研磨ヘッド、８つの洗浄チャンバと先進のプロセス制御を備えた２基の乾燥チャンバを搭載した連続プロセスステーションを備え、今日の最先端のCMPアプリケーションにおいて精密なプロセスと高い生産性をもたらします。Reflexion LK Primeは、Reflexion LKの性能を維持しつつ、２ステップCMPアプリケーションに最適化されています。研磨および洗浄プロセスモジュールの増加（Reflexion LK の７モジュールに対して14モジュール）、ならびに最適化されたウェーハハンドリングにより、多くのアプリケーションにおいてウェーハのスループットが最大2倍になり、生産性が最大100％向上します。

各研磨・洗浄ステーションをそれぞれ独立して利用できるため、シーケンシャル、パラレル、バッチプロセスといった操作の柔軟性が増し、さらに各プラテンの研磨処理をカスタマイズすることが可能になります。例えば、3D NANDでは厚膜で広範囲のトポグラフィにより長く安定した研磨が求められます。このような場合、複数のプラテンで、より短い研磨を繰り返すことで、安定的で予測性の高い平坦化が可能になります。またそれはウェーハ上の性能を最適化し、欠陥を低減する助けとなります。Reflexion LK CMPと同様、LK Primeシステムは最新の研磨、洗浄、およびプロセス制御技術を備えており、将来のデバイス世代の要件にも対応できる優れた研磨性能を発揮します。