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Raider® GT ECD

フィーチャーサイズのスケールダウンが10nm以下に及び、アスペクト比 の向上(5:1以上)が進むに連れ、業界は完璧な充填を生成する、ボトムアップフィルと側壁抑制のバランスを達成するという課題に直面しています。さらに、高いデバイスの歩留まりを達成するために必要な、ウェーハ全体にわたる均一な成膜を得ることが、より高抵抗な薄いシード層、より高密度なデバイスによって困難になっています。上部レベルのメタルスタックには、例えば銅ではなくコバルトを採用するといった、代替のメタライゼーション技術が必要とされます。

バルクメタライゼーション

Raider GT ECDは、メモリおよびロジックデバイスの銅配線ギャップフィル向けのシステムで、ダイナミック電流制御テクノロジー、マイクロ秒のレシピ制御、業界で最も幅広いプロセス薬液(低〜高バス電導性)の使用が可能です。これらの機能は、微細構造に最適なフィル性能と、ウェーハ全体での成膜の均一性を達成する鍵となります。ウェーハが溶剤に入るところから成膜プロセス全体にわたり、ダイナミックかつ迅速に電流密度を調整・制御できる能力が、Raider GT技術の要です。

GTシステムの拡張性により、20nm以下の小さなフィーチャーを、高い生産性かつ低いCOO (Cost of Ownership)で充填することができます。Raider GTは柔軟性が高く、システムの一部において、2つ目の薬液を導入することができます。2種類の薬液の同時使用、またはわずかなダウンタイムで構成の変更も可能で、1つの薬液プロセスを最高の生産性で運用することができます。